上述的單次寫入、多次讀取(write-once-read-many,WORM)記憶體能利用包裝產業常見的軟板(flexographic)或噴墨印刷技術,直接制作在產品或包裝上;根據研究人員的實驗,每個可寫記憶體位元尺寸約0.2×0.3mm,內含兩種市面上的銀奈米粒子油墨混合,以一般的卷軸(R2R)印刷制程印出實際位元以及關聯的寫入/讀取電極,然后干燥。
在寫入之前,每個位元是在高電阻的1狀態;寫入一個位元是以在位元施加一道低電壓(10V以下)來達成;那實際上是燒結(sinter)相鄰的銀奈米粒子,并產生最小電阻的路徑,因此將記憶體位元由高電阻的0狀態轉至低電阻的1狀態。該燒結步驟是不可逆的,意味著記憶體內的資料只能寫入一次,但讀取次數則是無限制。
26位元(1mm間距)的印刷式WORM 記憶體區塊,具備接觸式電極以及公用電極,位元尺寸約0.2×0.3mm;該種記憶體采用卷軸式制程生產
VTT實驗室能在厚度125um的耐熱PET基板上印出一卷長度為150公尺,內含1萬個印刷式WORM記憶體區塊(memory bank);而在先前的實驗中,研究人員也證實了印刷于紙上的記憶體位元燒結能力。每個記憶體區塊內含在R2R生產線上自動模切(die-cut)的線性位元陣列,每個位元因此能藉由量測橫跨的電阻來順序讀取。
更大的記憶體則需要以2D位元陣列結構來限制電氣觸點的數量,負責印刷與混合功能元件、印刷記憶體與電子元件開發的VTT首席科學家Ari Alastalo表示,會需要布置與每個位元串聯的二極體,或是利用更精細的讀出電子元件來消除位元之間的串擾(cross talk)。
Alastalo解釋,事實上WORM不會限制讀取電壓,而是藉由讀出電子元件;WORM只是被量測的電阻,其位元尺寸可以非常小,能以RFID或NFC讀取器所轉換的能源來讀取。這種電阻式WORM記憶體的一個有趣功能,是也能以非接觸形式讀取,不需要實際接觸位元來量測電阻,位元電阻能以掃瞄式讀取器透過電容式近場量測來讀取。
VTT實驗室正在進一步在不同的應用領域測試并證實該記憶體技術,同時也正在尋求合作夥伴將此專利制程技術推向商業化。